收藏本站
Typical Characteristics
10
(continued)
2500
8
I D = 8.5A
V DS = 10V
30V
20V
2000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
2
1500
1000
500
C OSS
0
0
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
100
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R θ JA = 96 C/W
T A = 25 C
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
100 μ s
40
SINGLE PULSE
o
o
1S
1
V GS = 10V
DC
10S
20
R θ JA = 96 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 96°C/W
0.01
0.02
P(pk)
Single Pulse
t 1
t 2
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDD5680, Rev. C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDD5690 MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
FDD5N50NZFTM MOSFET N-CH 500V DPAK
FDD5N50NZTM MOSFET N-CH 500V DPAK
FDD5N50TM_WS MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
FDD5N50UTM_WS MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
FDD5N53TM_WS MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
FDD6030L MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
FDD6530A MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
相关代理商/技术参数
FDD5690 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD5690 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK
FDD5690_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD5755 制造商:ELMEC 功能描述: 制造商:ELMEC 功能描述:Electronic Component
FDD5755C 制造商:ELMEC 功能描述: 制造商:ELMEC 功能描述:Electronic Component
FDD5810 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD5810_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Trench㈢ MOSFET
FDD5810_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Trench?? MOSFET 60V, 36A, 27m"